搜题，刷题，出题，就用题百科
登录
找答案
首页
【单选题】
手机使用
编辑③单晶硅的电子迁移率为
...更多
A.
0.5~1 cm2/V*s
B.
30~300 cm2/V*s
C.
600~700 cm2/V*s
D.
5~10 cm2/V*s
考考朋友
求助朋友
反馈
下一题
参考答案：
登录免费查看参考答案
参考解析：
登录免费查看参考解析
知识点：
登录免费查看知识点
答题技巧：
登录免费查看答题技巧
被用于：
暂无，欢迎编辑补充
题百科 tibaike.com 为你提供【③单晶硅的电子迁移率为】题目的被用于哪些试卷
题目讨论 0
发布
声明：以上题目由用户自己创建，编辑，若侵犯了你的权益，请发送邮箱到feedback@deepthink.net.cn, 我们会在三个工作日内处理。
创建题目
编辑题目
题目信息：
创建者：
刷刷题用户
编辑次数：
2
难易度：
错误率：
72%
相关题目：
【简答题】同质结的、基体材料为单晶硅的、有背场的、外形尺寸为 125mm 的、转换效率为 17.6 的太阳能电池可以命名为 ____________________ 。
【判断题】电子迁移率比硅高6倍，多应用于超高速、超高频器件和集成电路中。
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
【简答题】非晶硅薄膜材料的结构特点是 程有序， 程无序。
【简答题】泳动度（迁移率）
【单选题】单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈（）。
【简答题】设电子迁移率 0.1m 2 /( V · S),Si 的电导有效质量m c =0.26m 0 , 加以强度为10 4 V/m的电场,试求平均自由时间和平均自由程。
【多选题】影响电泳迁移率的因素有
【单选题】下列不属于单晶硅太阳能电池片的生产工序是（ ）
【单选题】离子的电迁移率即离子淌度与以下因素无关的是 ( ) 。