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【单选题】
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
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A.
本征状态
B.
平坦能带状态
C.
多子积累状态
D.
深耗尽状态
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