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含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为 的硅，温度为300K时，本征载流子浓度 ，温度为500K时，本征载流子浓度 ，计算在300K时费米能级的位置。
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相关题目：
【单选题】当受主杂质能级和费米能级重合时，有（）受主杂质电离了.
【简答题】室温下,Si的本征载流子浓度测量值的数量级在10^()/cm^3
【单选题】掺有硼原子和原子的Ge样品，室温时，Ge的本征载流子浓度,电子迁移率，空穴迁移率，试计算室温时样品的电阻率。
【单选题】含有施主杂质浓度 及受主杂质浓度为的硅，温度为300K时，本征载流子浓度，温度为500K时，本征载流子浓度，计算在300K时费米能级的位置。
【判断题】费米能级离导带底越近，该半导体的电子浓度越高。
【简答题】为什么说本征载流子浓度与温度有关？
【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
【单选题】一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
【简答题】利用表 3-2 中的 m n * , m p * 数值,计算硅、鍺、砷化镓在室温下的 N c , N v 以及本征载流子浓度。
【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )